高功率GaAs/GaAlAs单量子阱远结激光器

功能材料与器件学报 , 2000, 6(3): 240-242. doi: 10.3969/j.issn.1007-4252.2000.03.026

高功率GaAs/GaAlAs单量子阱远结激光器

石家纬 ^1, , 张素梅 ^2, , 齐丽云 ^3, , 胡贵军 ^4, , 李红岩 ^5, , 李永军 ^6, , 刘建军 ^7, , 张锋刚 ^8,

1.吉林大学电子工程系,集成光电子国家重点实验室吉林大学实验区,长春130023

2.吉林大学电子工程系,集成光电子国家重点实验室吉林大学实验区,长春130023

3.吉林大学电子工程系,集成光电子国家重点实验室吉林大学实验区,长春130023

4.吉林大学电子工程系,集成光电子国家重点实验室吉林大学实验区,长春130023

5.吉林大学电子工程系,集成光电子国家重点实验室吉林大学实验区,长春130023

6.吉林大学电子工程系,集成光电子国家重点实验室吉林大学实验区,长春130023

7.吉林大学电子工程系,集成光电子国家重点实验室吉林大学实验区,长春130023

8.吉林大学电子工程系,集成光电子国家重点实验室吉林大学实验区,长春130023

基金项目: 吉林省科技厅应用基础研究项目(19990526-1)

关键词：高功率 , 单量子阱 , 远结半导体激光器 , 老化

High power GaAs/GaAlAs single quantum well remote junction lasers

通过对50余只808nm的GaAs/GaAlAs高功率单量子阱远结半导体激光器的老化实验观测,在老化初期(前520h),阈值电流随老化时间的延长而下降,下降幅度高达57mA,从1000h多的恒流电老化结果可以看出,器件的输出光功率在老化初期有所上升,随后,表现出按指数规律缓慢下降的行为.初步实验结果表明器件具有长寿命的潜力.

参考文献

[1]	Yoshiji Horikoshi;Thkeshi Kobayashi;Yoshitaka Furukawa .[J].Japanese Journal of Applied Physics,1979,18(12):2237.
[2]	Awlik J R P;Sang W T T;Nash F R et al.[J].Applied Physics Letters,1981,38(12):974.
[3]	Sze S.Physics of semiconductor devices[M].New York:Wiley press,1969

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