ECR Plasma CVD淀积光电器件介质膜的工艺模拟

功能材料与器件学报 , 2000, 6(3): 248-251. doi: 10.3969/j.issn.1007-4252.2000.03.028

ECR Plasma CVD淀积光电器件介质膜的工艺模拟

谭满清 ^1, , 陆建祖 ^2, , 李玉鉴 ^3,

1.中国科学院半导体研究所工程中心,北京100083

2.中国科学院半导体研究所工程中心,北京100083

3.中国科学院半导体研究所工程中心,北京100083

基金项目: 国家科技攻关项目(307-15-3(08))

关键词： ECRPlasmaCVD , 人工神经网络 , 气流配比 , 折射率 , 淀积速率

Simulation based prediction of dielectric thin film deposition by ECR plasma CVD for optoelectronic devices

以实验数据为基础,运用人工神经网络方法,建立了电子回旋共振等离子体化学气相沉积(ECRPlasmaCVD)淀积硅的氮、氧化物介质膜的折射率、速率与气流配比Q(N2)/Q(SiH4)和Q(O2)/Q(SiH4)关系的数学模型,此模型在给定气流配比Q(N2)/Q(SiH4)和Q(O2)/Q(SiH4)时所预测的成模折射率跟实验值符合得很好,为ECRPlasmaCVD淀积全介质光学膜的工艺打下坚实的基础.

参考文献

[1]	Steven Dzioba;R Rousina .[J].Journal of Vacuum Science and Technology B:Microelectronics and Nanometer Structures,1994,12(01):433-440.
[2]	谭满清.1997年砷化及有关化合物会议论文集[C].,1997:310-312.
[3]	Rumelhart D E;Hinton G E;Williams R J.Learning internal representations by error back propagation[M].Cambridge,Mass.:MIT Press,1986
[4]	Chen T;Chen H .[J].IEEE Transactions on Neural Networks,1995,6(04):911-917.

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