InGaAs/InP中离子注入和新型HPT

功能材料与器件学报 , 2000, 6(3): 259-262. doi: 10.3969/j.issn.1007-4252.2000.03.031

InGaAs/InP中离子注入和新型HPT

李国辉 ^1, , 杨茹 ^2, , 于民 ^3, , 曾一平 ^4, , 韩卫 ^5,

1.北京师范大学低能核物理所,北京市辐射中心,北京100875

2.北京师范大学低能核物理所,北京市辐射中心,北京100875

3.北京师范大学低能核物理所,北京市辐射中心,北京100875

4.中科院半导体所,北京100083

5.北京师范大学低能核物理所,北京市辐射中心,北京100875

基金项目: 中国科学院资助项目(69676030) 北京市科研项目(4962004;4992004)

关键词： InGaAs/Inp , 离子注入 , 新结构HPT

Ion implantation in InGaAs/InP and novel HPT

InGaAs/InP是制作光电器件与微波器件的重要材料.离子注入InGaAs/InP做掺杂或制作高阻层是人们十分关注的研究课题.采用Fe+注入InGaAs/InP得到了电阻率升高的好结果.用Be+注入制作了新结构HPT的基区.研制成功了在1.55μm波长工作的InGaAs/InP新结构光电晶体管,在0.3μW入射光条件下,光电增益为350.

参考文献

[1]	Pearton S J et al.[J].Journal of Applied Physics,1989,66(02):656.
[2]	Ywgnam J K et al.[J].Electronics Letters,1989,25(02):86.
[3]	Len L Y et al.[J].Applied Physics Letters,1990,57(02):1251.
[4]	Zhu E J .[J].IEEE Electron Device Letters,1985,6(02):91.
[5]	李国辉.高灵敏度穿通型异质结光电晶体管[J].固体电子学研究与进展,1995(03):214.
[6]	Han Dejun;Li Guohui .Ultrahigh-sensitive AlGaAs-GaAs punchthrough heterojunction phototransistor[J].IEEE Photonics Technology Letters,1997(10):1391-1393.

上一张下一张

计量

下载量()
访问量()

作者相关

文章评分

您的评分：
1

0%
2

0%
3

0%
4

0%
5

0%

材料期刊网

InGaAs/InP中离子注入和新型HPT

Ion implantation in InGaAs/InP and novel HPT

参考文献