Ge/GaAs中APD及薄膜性能研究

1.北京师范大学低能核物理所,北京市辐射中心,北京100875

2.北京师范大学低能核物理所,北京市辐射中心,北京100875

3.北京师范大学低能核物理所,北京市辐射中心,北京100875

4.北京师范大学低能核物理所,北京市辐射中心,北京100875

5.北京师范大学低能核物理所,北京市辐射中心,北京100875

基金项目: 北京市科研项目(4992004)

Study of the property of Ge films and APD of Ge/GaAs

研究了一种光纤通讯用光电探测器.在GaAs上蒸镀800nm的Ge,并在此材料基础上提出了一种吸收倍增分离的雪崩二极管(SAM-APD)的结构设计,采用GaAs作为倍增区,Ge作为吸收区.在此结构上初步制作的二极管正向开启电压为0.2～0.3V,反向击穿电压为2.5V,漏电不明显,p-n结特性良好.

[1]	Reinking D et al.[J].Electronics Letters,1999,35(06)
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[4]	Benourhazi K;Ponpon J P .[J].Nuclear Instruments and Methods in Physics Research B:Beam Interaction with Materials and Atoms,1992,B7:406-411.

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