940nm高功率列阵半导体激光器

1.吉林大学电子工程系,长春130023;长春光学精密机械学院高功率半导体激光国家重点实验室长春 130022

2.长春光学精密机械学院高功率半导体激光国家重点实验室长春130022

3.长春光学精密机械学院高功率半导体激光国家重点实验室长春130022

4.长春光学精密机械学院高功率半导体激光国家重点实验室长春130022

5.长春光学精密机械学院高功率半导体激光国家重点实验室长春130022

6.吉林大学电子工程系,长春130023

940nm high power array semiconductor lasers

利用分子束外延生长方法生长出InGaAs/GaAs应变量子阱材料.利用该材料制作出的应变量子阱列阵半导体激光器准连续(500μs,100Hz)输出功率达到27W(室温),峰值波长为939～941nm,并分析了影响列阵半导体激光器输出功率的因素.

[1]	Bruesselbach H;Sumida D S;Reeder R;Byren R W .[J].IEEE Journal of Selected Topics in Quantum Electronics,1997,3:10-13.
[2]	Ter- Mikirtychev V V;Mckinnie I T;Warrington D M;Lisky Y .[J].Optics & Laser Technology,1997,29:407-410.
[3]	Bezotosnyi V V;Kumykov Kh Kh;Markova N V .[J].Quantum Electronics,1997,27(06):481-484.

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