AlGaAsSb/InGaAsSb多量子阱结构的光致发光谱

功能材料与器件学报 , 2000, 6(3): 282-284. doi: 10.3969/j.issn.1007-4252.2000.03.038

AlGaAsSb/InGaAsSb多量子阱结构的光致发光谱

郑燕兰 ^1, , 李爱珍 ^2, , 林春 ^3, , 李存才 ^4, , 胡建 ^5,

1.中国科学院信息功能材料国家重点实验室中国科学院上海冶金研究所,上海200050

2.中国科学院信息功能材料国家重点实验室中国科学院上海冶金研究所,上海200050

3.中国科学院信息功能材料国家重点实验室中国科学院上海冶金研究所,上海200050

4.中国科学院信息功能材料国家重点实验室中国科学院上海冶金研究所,上海200050

5.中国科学院信息功能材料国家重点实验室中国科学院上海冶金研究所,上海200050

关键词： AlGaAsSb/InGaAsSb多量子阱 , PL强度 , 激光器

Photoluminescence of AlGaAsSb/InGaAsSb multiple quantum well

用固态源MBE技术生长了AlGaAsSb/InGaAsSb多量子阱材料,研究了通过改变多量子阱AlGaAsSb/InGaAsSb中的结构参数,如多量子阱中InGaAsSb的阱宽,AlGaAsSb的垒宽及垒层中Al组分和阱层中的In组分,多量子阱中的阱数等,来提高AlGaAsSb/InGaAsSb多量子阱的PL强度.

参考文献

[1]	Lee H.Workbook of 8th Inter Conf MBE[C].Osaka,Japan,1994
[2]	Lee H.[J].Applied Physics Letters,1995:66.
[3]	Turner GW.;Manfra MJ.;Choi HK. .Ultralow-threshold (50 A/cm(2)) strained single-quantum-well GaInAsSb/AlGeAsSb lasers emitting at 2.05 mu m[J].Applied physics letters,1998(8):876-878.

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Photoluminescence of AlGaAsSb/InGaAsSb multiple quantum well

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