LEC技术生长3inch掺Si GaAs单晶的研究

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关键词： GaAs , 单晶 , 掺杂 , LEC

Research on 3 inch Si-doped GaAs crystal by LEC technology

采用高压LEC工艺生长3inch掺Si GaAs单晶,掺杂浓度大于1×1018/cm3,晶体位错密度小于1×104/cm2.实验发现,采用PBN坩埚和使用水含量较高的氧化硼做覆盖剂,固液交界面处均会产生浮渣,造成无法引晶.而实际掺杂量应为理论计算值的4倍以上.

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