VInH4在InP材料中的影响

功能材料与器件学报 , 2000, 6(4): 316-320. doi: 10.3969/j.issn.1007-4252.2000.04.004

VInH4在InP材料中的影响

孙聂枫 ^1, , 杨光耀 ^2, , 吴霞宛 ^3, , 曹立新 ^4, , 赵权 ^5, , 郭维廉 ^6, , 赵有文 ^7, , 孙同年 ^8,

1.信息产业部电子第十三研究所,石家庄050002

2.信息产业部电子第十三研究所,石家庄050002

3.天津大学电子工程系,天津300072

4.信息产业部电子第十三研究所,石家庄050002

5.信息产业部电子第四十六研究所,天津300192

6.天津大学电子工程系,天津300072

7.信息产业部电子第十三研究所,石家庄050002

8.信息产业部电子第十三研究所,石家庄050002

关键词： InP , VInH4 , 补偿

Influences of hydrogen vacancy complex VInH4 in N-Type LEC InP

在未掺杂和掺Fe的LEC-In中用FT-IR测试到VInH4的存在.已经证实该缺陷在LEC-InP中普遍存在.经研究表明在掺Fe的InP中的VInH4浓度比在未掺杂中的高.而在同一晶锭中其浓度分布是头部高,尾部低.讨论了其对未掺杂InP的电子特性和掺Fe的InP的补偿的影响,及其对InP热稳定性的影响.

参考文献

[1]	Fung S.;Beling CD.;Xu XL.;Gong M.;Sun NF.;Sun TN.;Chen XD. Zhang RG.;Liu SL.;Yang GY.;Qian JJ.;Sun MF.;Liu XL.;Zhao YW. .Compensation ratio-dependent concentration of a VInH4 complex in n-type liquid encapsulated Czochralski InP[J].Applied physics letters,1998(9):1275-1277.
[2]	Fung S;Zhao Y W;Sun N F .[J].Journal of Applied Physics,1999,86:951.
[3]	ZhaoY W;Sun N F;Sun T N .[J].Journal of Applied Physics,1999,86:981.
[4]	Fung S;Zhao Y W;Sun N F et al.[J].Journal of Applied Physics,1999,86:2361.
[5]	Zhao Y W;Sun N F;Sun T N .[J].Applied Physics Letters,1999,72:2126.

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Influences of hydrogen vacancy complex VInH4 in N-Type LEC InP

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