张应变GaAs层引入使InAs/InP量子点有序化排列的机理研究

功能材料与器件学报 , 2000, 6(4): 321-324. doi: 10.3969/j.issn.1007-4252.2000.04.005

张应变GaAs层引入使InAs/InP量子点有序化排列的机理研究

殷景志 ^1, , 王新强 ^2, , 李献杰 ^3, , 杜国同 ^4, , 张树人 ^5,

1.吉林大学电子工程系,长春,130012

2.吉林大学电子工程系,长春,130012

3.吉林大学电子工程系,长春,130012

4.吉林大学电子工程系,长春,130012

5.吉林大学电子工程系,长春,130012

关键词：自组装量子点 , 有序生长 , 张应变GaAs层

Study on the mechanism of ordering growth InAs/InP quantum dots by introducing tensile strained GaAs layer

Keywords： Self-assembled quantum dots , Ordering growth , Tensile strained GaAs layer

采用LP-MOVPE技术,在(001)InP衬底上生长的InAs /InP自组装量子点是无序的.为了解决这个问题,在InP衬底上先生长张应变的GaAs层,然后再生长InAs层,可得到有序化排列的量子点.本文对张应变GaAs层引入使量子点有序化排列的机理进行了分析.为生长有序化、高密度、均匀性好自组装量子点提供了依据.

In the paper we analyze the mechanism of ordering growth InAs/InP quantum dots(islands) on undulational surface and point out that the tensile strain layer controls the arrangement of InAs/InP self-assembled quantum dots. Ordering InAs quantum dot on tensile strained GaAs layer on InP substrate is achieved.

参考文献

[1]	Leonard D;Krishnamurthy M;Reaves C M et al.[J].Applied Physics Letters,1993,63:3203.
[2]	Marzin J-Y;Gérard J-M;Izraёl A et al.[J].Physical Review Letters,1994,73:716.
[3]	Zhi Jin;Benzhong Wang;Yuheng Peng et al.[J].Surface Science,1999,423:L211.
[4]	Min Naiben.Physical foundation of crystal growth[M].上海:上海科学技术出版社,1982

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