NH3-MBE生长极化场二维电子气材料

功能材料与器件学报 , 2000, 6(4): 350-353. doi: 10.3969/j.issn.1007-4252.2000.04.013

NH3-MBE生长极化场二维电子气材料

孙殿照 ^1, , 刘宏新 ^2, , 王军喜 ^3, , 王晓亮 ^4, , 刘成海 ^5, , 曾一平 ^6, , 李晋闽 ^7, , 林兰英 ^8,

1.中国科学院半导体所材料中心,北京,100083

2.中国科学院半导体所材料中心,北京,100083

3.中国科学院半导体所材料中心,北京,100083

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5.中国科学院半导体所材料中心,北京,100083

6.中国科学院半导体所材料中心,北京,100083

7.中国科学院半导体所材料中心,北京,100083

8.中国科学院半导体所材料中心,北京,100083

关键词：氮化镓 , GaN , 分子束外延 , 二维电子气 , 极化

GaN/AlN/GaN heterostructures grown by ammonia-molecular beam epitaxy

介绍了用NH3-MBE技术在蓝宝石C面上外延的高质量的GaN单层膜以及GaN/AlN/GaN极化感应二维电子气材料.外延膜都是N面材料.形成的二维电子气是"倒置二维电子气".GaN 单层膜的室温电子迁移率为300cm2/Vs.二维电子气材料的迁移率为680cm2/Vs(RT)和1700cm2/Vs(77K),相应的二维电子气的面密度为3.2×1013cm-2 (RT)和2.6x1013cm-2 (77K ).

参考文献

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[7]	Smorchkova I P;Elsass C R et al.[J].Journal of Applied Physics,1999,86(08):4520.
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GaN/AlN/GaN heterostructures grown by ammonia-molecular beam epitaxy

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