Au/(Si/SiO2)/p型Si结构的可见电致发光研究

功能材料与器件学报 , 2000, 6(4): 354-356. doi: 10.3969/j.issn.1007-4252.2000.04.014

Au/(Si/SiO2)/p型Si结构的可见电致发光研究

马书懿 ^1, , 王印月 ^2, , 刘雪芹 ^3,

1.西北师范大学物理系,兰州,730070;兰州大学,物理科学与技术学院,兰州,730000

2.兰州大学,物理科学与技术学院,兰州,730000

3.兰州大学,物理科学与技术学院,兰州,730000

基金项目: 中国博士后科学基金(9557) 甘肃省教育厅科研项目(981-17)

关键词： Si/SiO2薄膜 , 电致发光 , 发光中心

Visible electroluminescence from Au/(Si/SiO2)/p-Si structure

Si/SiO2薄膜采用射频磁控溅射技术制备,当正向偏压大于5V时即可观测到来自不同Si层厚度的Au/(Si/SiO2 )/p-Si 结构在室温下的可见电致发光,其发光谱峰位均位于660nm处,测得的各种偏压下的发光峰位不随正向偏压的升高而移动.实验结果表明光发射主要来自于SiO2层中的发光中心上的复合发光.

参考文献

[1]	Lu Z H;Lockwood D J;Baribeau J M .[J].Nature,1995,378(11):258-260.
[2]	Qin GG.;Ma ZC.;Zong WH.;You LP.;Ma SY. .Electroluminescence from amorphous Si/SiO2 superlattices[J].Solid State Communications,1998(6):329-333.
[3]	Skuja L N;Silin A R .[J].Physica Status Solidi A,1979,56(11):495-501.

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