掺Si对MOCVD生长的GaN单晶膜的黄带发射及生长速率的影响

功能材料与器件学报 , 2000, 6(4): 385-387. doi: 10.3969/j.issn.1007-4252.2000.04.022

掺Si对MOCVD生长的GaN单晶膜的黄带发射及生长速率的影响

李述体 ^1, , 莫春兰 ^2, , 李鹏 ^3, , 王立 ^4, , 熊传兵 ^5, , 彭学新 ^6, , 江风益 ^7,

1.南昌大学材料科学研究所,南昌,330047

2.南昌大学材料科学研究所,南昌,330047

3.南昌大学材料科学研究所,南昌,330047

4.南昌大学材料科学研究所,南昌,330047

5.南昌大学材料科学研究所,南昌,330047

6.南昌大学材料科学研究所,南昌,330047

7.南昌大学材料科学研究所,南昌,330047

基金项目: 国家自然科学基金(715-001-0012) 中国科学院资助项目(69676019)

关键词： MOCVD , GaN:Si , 光致发光

Influence of Si-doping to the growth rate and yellow luminescence of GaN grown by MOCVD

对MOCVD生长GaN:Si薄膜进行了研究,研究表明随SiH4/TMGa流量比增大,GaN:Si单晶膜的电子浓度增大,迁移率下降,X射线双晶衍射峰半高宽增加,同时带边发射强度得到了大大的提高,并报导了随SiH4/TMGa流量比增大,GaN:Si的生长速率降低的现象.研究结果还表明,预反应对GaN:Si单晶膜黄带发射影响很大,预反应的减小可以使黄带受到抑制.

参考文献

[1]	Nakamura S;Fasol G.The Blue Laser Diode[M].Berlin:Springer-Verlag Press,1997
[2]	Lee IH.;Lee CR.;Son SJ.;Leem JY.;Noh K.;Choi IH. .MOBILITY ENHANCEMENT AND YELLOW LUMINESCENCE IN SI-DOPED GAN GROWN BY METALORGANIC CHEMICAL VAPOR DEPOSITION TECHNIQUE[J].Journal of Crystal Growth,1997(3/4):314-320.
[3]	Xianglin Liu;Lianshan Wang;Da-Cheng Lu et al.[J].Journal of Crystal Growth,1997,189-190:287.
[4]	刘祥林,汪连山,陆大成,王晓晖,汪度,林兰英.氮化镓缓冲层生长过程分析[J].半导体学报,1999(07):529-533.
[5]	Mierry De P;Beaumont B;Feltin E et al.[J].MRS Internet Journal of Nitride Semiconductor Research,2000,5:8.

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