三元GaxIn1-xP和四元(AlxGa1-x)0.51In0.49P合金拉曼光谱研究

功能材料与器件学报 , 2000, 6(4): 393-396. doi: 10.3969/j.issn.1007-4252.2000.04.024

三元GaxIn1-xP和四元(AlxGa1-x)0.51In0.49P合金拉曼光谱研究

吕毅军 ^1, , 高玉琳 ^2, , 郑健生 ^3, , 李志锋 ^4, , 蔡炜颖 ^5, , 王晓光 ^6,

1.厦门大学物理系,厦门,361005

2.厦门大学物理系,厦门,361005

3.厦门大学物理系,厦门,361005

4.中国科学院上海技术物理研究所,上海,200083

5.中国科学院上海技术物理研究所,上海,200083

6.中国科学院上海技术物理研究所,上海,200083

基金项目: 中国科学院资助项目(69776011)

关键词：喇曼谱 , 有序化 , Ⅲ-Ⅴ族半导体

Raman scattering in GaxIn1-xP and (AlxGa1-x)0.51In0.49P alloys

测量了室温下三元GaxIn1-xP (x=0.48)和四元(AlxGa1-x)0.51In0.49P (x=0.29)合金背散射配置下的喇曼光谱. 三元GaxIn1-xP的喇曼谱表现为双模形式, 在DALA带上叠加了FLA模, 在有序样品中观察到了类GaP的TO1模和类InP的TO2模, 类GaP的LO1模和类InP的LO2模的分裂, 表示有序度的b/a比从无序样品的0.40变化到有序样品的0.10, 有序样品b/a比的降低是由于TO1模和LO1模分裂的影响所造成的. 四元(AlxGa1-x)0.51In0.49P为三模形式, 观察到了双峰结构的FLA模, 由于Al组分的影响, 类GaP的LO模成了类InP的LO模的肩峰. 所有模式与经验公式吻合得很好.

参考文献

[1]	Baxter C S;Stobbs W M;Wilkie J H .[J].Journal of Crystal Growth,1991,112:373.
[2]	Su L C;Ho I H;Stringfellow G B .[J].Applied Physics Letters,1994,65(06):749.
[3]	Sinha K;Mascarenhas A;Alonso R G et al.[J].Solid State Communications,1994,89(10):843.
[4]	Kuan T S;Kuech T F;Wang W I et al.[J].Physical Review Letters,1985,54(03):201.
[5]	Mascarenhas A.;Alonso R.;Froyen S.;Zhang Y. .ORIENTATIONAL SUPERLATTICES IN ORDERED GAINP2[J].Solid State Communications,1996(1):47-51.
[6]	Delong M C;Taylor P C;Olson J M .[J].Applied Physics Letters,1990,57(06):620.
[7]	Delong M C;Ohlson W D;Viohl I et al.[J].Journal of Applied Physics,1991,70(05):2780.
[8]	Suzuki T;Gomyo A;Iijima S et al.[J].Japanese Journal of Applied Physics,1988,27(11):2098.
[9]	Zachau M;Masselink W T .[J].Applied Physics Letters,1992,60(17):2098.
[10]	Asahi H;Emura S;Gonda S et al.[J].Journal of Applied Physics,1989,65(12):5007.

上一张下一张

计量

下载量()
访问量()

作者相关

文章评分

您的评分：
1

0%
2

0%
3

0%
4

0%
5

0%

材料期刊网