反应离子刻蚀工艺仿真模型的研究

1.集成光电子学国家实验室,中国科学院半导体所,北京100083

2.集成光电子学国家实验室,中国科学院半导体所,北京100083

3.集成光电子学国家实验室,中国科学院半导体所,北京100083

4.集成光电子学国家实验室,中国科学院半导体所,北京100083

5.集成光电子学国家实验室,中国科学院半导体所,北京100083

6.集成光电子学国家实验室,中国科学院半导体所,北京100083

7.集成光电子学国家实验室,中国科学院半导体所,北京100083

基金项目: 新材料领域项目(307-15-3(08))

Modeling and simulation of reactive ion etching technology

以SF6/N2混合气体对Si反应离子刻蚀工艺研究为例提出干法刻蚀计算机工艺模拟的方法:在分段拟合优化工艺条件下采用人工神经网络方法建立干法刻蚀仿真模型,可以予测给定射频功率、总气流量下刻蚀速率和纵横比,并且以仿真实验数据训练模型学习,模型具有通用性,与设备无关.

[1]	熊光楞等.[J].Coalition for Improving Maternity Services,1997,3(02):7-10.
[2]	K De Meyer;S Biesemans.Simulatiom of Semiconductor Processes and Devices[M].,1998
[3]	王惠刚.计算机仿真原理及应用[M].长沙:国防科技大学出版社,1994

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