Si基GaN上的欧姆接触

功能材料与器件学报 , 2000, 6(4): 425-427. doi: 10.3969/j.issn.1007-4252.2000.04.032

Si基GaN上的欧姆接触

赵作明 ^1, , 江若琏 ^2, , 陈鹏 ^3, , 席冬娟 ^4, , 沈波 ^5, , 郑有炓 ^6,

1.南京大学物理系,南京,210093

2.南京大学物理系,南京,210093

3.南京大学物理系,南京,210093

4.南京大学物理系,南京,210093

5.南京大学物理系,南京,210093

6.南京大学物理系,南京,210093

基金项目: 中国科学院资助项目(69987001;69636010;69806006)

关键词： Si基GaN , 欧姆接触 , Al , Ti/Al/Pt/Au

Ohmic contacts on Si-substrated GaN

研究了Si基GaN上的欧姆接触.对在不同的合金化条件下铝(Al)和钛铝铂金(Ti/Al/Pt/Au)接触在不同的合金化条件下的性质作了详尽的分析.Al/GaN在450℃氮气气氛退火3min取得最好的欧姆接触率7.5×10-3Ω.cm2,而Ti/Al/Pt/Au/GaN接触在650℃氮气气氛退火20s取得最好的欧姆接触8.4×10-5Ω.cm2,而且Ti/Al/Pt/Au/GaN接触有较好的热稳定性.

参考文献

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Ohmic contacts on Si-substrated GaN

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