沉积条件对RF反应溅射多晶ZnO薄膜结构的影响

功能材料与器件学报 , 2000, 6(4): 428-431. doi: 10.3969/j.issn.1007-4252.2000.04.033

沉积条件对RF反应溅射多晶ZnO薄膜结构的影响

龚恒翔 ^1, , 阎志军 ^2, , 杨映虎 ^3, , 王印月 ^4,

1.兰州大学物理科学与技术学院,兰州,730000

2.兰州大学物理科学与技术学院,兰州,730000

3.兰州大学物理科学与技术学院,兰州,730000

4.兰州大学物理科学与技术学院,兰州,730000

基金项目: 中国科学院资助项目(69876017)

关键词： ZnO薄膜 , RF反应溅射 , 择优取向

Effect of deposition condition on structure of RF reactively sputtered polycrystalline ZnO films

采用RF反应溅射法在Si(111)、玻璃衬底上制备了具有良好C轴取向的多晶ZnO薄膜.用XRD分析了沉积条件(衬底温度、工作气体中的氧与氩气压比和衬底种类)对样品结构的影响.发现(1)薄膜的取向性随着衬底温度的升高而增强,超过400℃后薄膜质量开始变差;(2)工作气体中氧与氩气压比(PO2/PAr)为2:3时,薄膜取向性最好;(3)薄膜晶粒尺寸11～34nm,相同沉积条件下,单晶硅衬底样品(002)衍射峰强度减弱,半高宽无明显变化.

参考文献

[1]	Major S;Satyendra Kumar;Bhatnagar M .[J].Applied Physics Letters,1986,49:394.
[2]	Paraguay F D;Estrada W L;Acosta D R N .[J].Thin Solid Films,1999,350:192.
[3]	Sato H;Minami T;Miyata T;Takata S .[J].Thin solid films,1994,246:65.
[4]	Hee-Bog Hang;Kiyoshi Nakamura;Kenji Yoshida .[J].Japanese Journal of Applied Physics Part 2,1997,36(7B):L933.
[5]	Won Taeg Lim;Chang Hyo Lee .Highly oriented ZnO thin films deposited on Ru/Si substrates[J].Thin Solid Films: An International Journal on the Science and Technology of Thin and Thick Films,1999(12):12-15.

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