TiO2基氧化物半导体氧敏传感器的研究开发进展

功能材料与器件学报 , 2001, 7(1): 101-106. doi: 10.3969/j.issn.1007-4252.2001.01.023

TiO2基氧化物半导体氧敏传感器的研究开发进展

潘海波 ^1, , 陈耐生 ^2, , 林德娟 ^3, , 沈水发 ^4, , 黄金陵 ^5,

1.福州大学功能材料研究所,

2.福州大学功能材料研究所,

3.福州大学功能材料研究所,

4.福州大学功能材料研究所,

5.福州大学功能材料研究所,

关键词： TiO2基氧化物 , 金红石相 , 氧敏传感器

Development and application of TiO2 oxygen gas sensor

综合介绍TiO2基氧化物半导体氧敏传感器的研究发展历史和TiO2材料的特性，比较了各种氧敏机理、制备方法、传感器的氧敏特性，就制备方法－材料微观结构－氧敏性能关系中的几个重要问题，进行了深入的探讨，并对今后的研究开发与产业化，结合本课题组的研究工作，提出了几点建议。

Metal－ion doped TiO2 oxygen gas sensors are introduced briefly, particularly on the history of development and application, and characteristics of metal－ion doped TiO2.The several problems are focussed on the series of oxygen－sensing mechanism, preparation methods and properties of sensors.In this paper, the relationship between synthesis, microstructure and oxygen－sensing characteristics is discussed.And based on it, some suggestions on the further research and development of metal－ion doped TiO2 oxygen gas sensors are proposed.

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