BJMOSFET 静态特性的解析模型及模拟分析

功能材料与器件学报 , 2001, 7(2): 167-182. doi: 10.3969/j.issn.1007-4252.2001.02.012

BJMOSFET 静态特性的解析模型及模拟分析

金湘亮 ^1, , 曾云 ^2, , 颜永红 ^3, , 成世明 ^4, , 龚磊 ^5, , 盛霞 ^6, , 樊卫 ^7,

1.中国科学院微电子中心;湖南大学应用物理系

2.湖南大学应用物理系 ,

3.湖南大学应用物理系 ,

4.湖南大学应用物理系 ,

5.湖南大学应用物理系 ,

6.湖南大学应用物理系 ,

7.湖南大学应用物理系 ,

关键词： BJMOSFET , 静态特性 , PSPICE , 模拟

Simulation and analysis of static characteristics for BJMOSFET'S analytical

建立了新型半导体功率器件—双极型压控晶体管（ BJMOSFET）的直流解析模型，通过提取模型参数，运用电路模拟软件 PSPICE的多瞬态分析法对 BJMOSFET的直流特性进行了模拟，分析得出这种新型器件在相同结构参数和同等外界条件下与传统 MOSFET相比，电流密度提高 30％～ 40％。

The DC analytical model has been built for the bipolar voltage control transistor which is a novel semiconductor power device. Appling the multiple－ transient of the PSPICE software, the DC characteristically graphs of BJMOSFET has been simulated. The results show that the current density of BJMOSFET is 30～ 40％ larger than that of power MOSFET under the same operating conditions and structure parameters.

参考文献

[1]	Flores D;Godigron P;Veuvohi M.The iBMET: A Novel Mos- Gated Thyristor structure[J].IEEE Transactions on Electron Devices,1997(18):10.
[2]	Tihanyi J.International Electron Devices Meeting 1980[M].Washington DC,1980:75.
[3]	曾云;颜永红;陈迪平等.双极型压控晶体管模型及原理[J].微细加工技术,1997,3:63.
[4]	姚立真.通用电路模拟技术及软件应用SPICE和PSPICE[M].北京:电子工业出版社,1994
[5]	何相宁 .用 PSPICE多瞬态分析法建立新型电力电子器件的模型特性[J].电力电子技术,1995,29(03):62.
[6]	浙江大学半导体器件教研室.晶体管原理[M].北京:国防工业出版社,1980
[7]	Zeng Yun;Jin Xiangliang;Yan Yonghong.A New Device (BJMOSFET): Numerical Simulation of Current- Voltage Characteristics[M].Semiconductor Device to be press

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