多孔硅外延层转移制备SOI材料的研究

功能材料与器件学报 , 2001, 7(4): 355-359. doi: 10.3969/j.issn.1007-4252.2001.04.006

多孔硅外延层转移制备SOI材料的研究

刘卫丽 ^1, , 多新中 ^2, , 张苗 ^3, , 沈勤我 ^4, , 王连卫 ^5, , 林成鲁 ^6,

1.中国科学院

2.中国科学院

3.中国科学院

4.中国科学院

5.中国科学院

6.中国科学院

基金项目: 国家自然科学基金(69906005和 9775062) 上海市科技发展基金(98JC14004)

关键词：绝缘体上的硅 , 多孔硅 , 外延

SOI material fabricated by using epitaxial layer transfer of porous silicon

用多孔硅外延层转移的方法成功地制备出了 SOI材料 , 卢瑟福背散射 /沟道谱 (RBS/C)和扩展电阻 (SPR)的结果表明获得的 SOI材料上层硅具有很好的单晶质量 , 电阻率分布均匀 , 上层硅与氧化硅埋层界面陡直 . 对制备多孔硅的衬底材料也作了研究 , 结果表明 P型重掺杂的硅衬底在暗场下阳极氧化后仍保持很好的单晶性能 , 用超高真空电子束蒸发方法能外延出质量很好的单晶硅 , 并且 , 在一定浓度的 HF/H2O2溶液中具有较高的腐蚀选择率 , 保证了上层硅厚度的均匀性 .

参考文献

[1]	VASUDEV P K .[J].Solid-State Electronics,1996,39:481.
[2]	Collinge J P.Silicon-on-Insulator-Technology: Materials to VLSIC[M].Boston:Kluwer Press,1991
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[4]	UNAGAMI U T;SEKI M .[J].Journal of the Electrochemical Society,1978,125:1339.
[5]	IMAI K .[J].Solid-State Electronics,1981,24:59.
[6]	NOBUHIKO SATO;KIYOFUMI SAKAGUCHI et al.[J].Journal of the Electrochemical Society,1995,142:3116.
[7]	TAKASHI UNAGAMI .[J].Journal of the Electrochemical Society,1980,127:476.
[8]	黄宜平,郑大卫,李爱珍,汤庭鳌,崔堑,张翔九.多孔硅的微观结构及其氧化特性[J].半导体学报,1995(01):19.

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SOI material fabricated by using epitaxial layer transfer of porous silicon

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