高性能In0.53Ga0.47AsPIN光电探测器的研制

功能材料与器件学报 , 2002, 8(1): 45-48. doi: 10.3969/j.issn.1007-4252.2002.01.011

高性能In0.53Ga0.47AsPIN光电探测器的研制

刘家洲 ^1, , 陈意桥 ^2, , 税琼 ^3, , 南矿军 ^4, , 李爱珍 ^5, , 张永刚 ^6,

1.中国科学院上海冶金研究所信息功能材料国家重点实验室,上海,200050

2.中国科学院上海冶金研究所信息功能材料国家重点实验室,上海,200050

3.中国科学院上海冶金研究所信息功能材料国家重点实验室,上海,200050

4.中国科学院上海冶金研究所信息功能材料国家重点实验室,上海,200050

5.中国科学院上海冶金研究所信息功能材料国家重点实验室,上海,200050

6.中国科学院上海冶金研究所信息功能材料国家重点实验室,上海,200050

基金项目: 国家重点基础研究发展计划(973计划)(G20000683)

关键词：光电探测器 , 分子束外延 , In0.53Ga0.47As

Fabrication of high performance In0.53Ga0.47As PIN photodectors

报道了采用GSMBE方法研制的In0.53Ga0.47AsPIN光电探测器,器件结构中引入了宽禁带InP窗口层和聚酰亚胺钝化工艺,减小了暗电流,提高了器件性能.在反向偏压为5V时器件的暗电流为640pA,反向偏压为10V时测得器件的上升时间为37.2ps,下降时间为30.45ps,半高宽为43.9ps.对影响探测器暗电流的因素和提高响应速度的途径进行了讨论.

参考文献

[1]	Takeuchi T.;Makita K.;Yamaguchi M.;Nakata T. .High-speed, high-power and high-efficiency photodiodes with evanescently coupled graded-index waveguide[J].Electronics Letters,2000(11):972-973.
[2]	Fukano H.;Kozen A. .Edge-illuminated refracting-facet photodiode with high responsivity and low-operation voltage[J].Electronics Letters,1996(25):2346-2348.
[3]	Otsuji T;Sahri N;Shimizu N et al.[J].IEEE Photonics Technology Letters,1999,11:1033.
[4]	Kato K;Hata S;Kozen A et al.[J].IEEE Journal of Oceanic Engineering,1992,28:2728.
[5]	Makiuchi M.;Hamaguchi H. .Easily manufactured high-speed back-illuminated GaInAs/InP p-i-n photodiode[J].IEEE Photonics Technology Letters,1991(6):530-531.
[6]	Skrimshire C P;Farr J R;Sloan D F .[J].IEEE Proceedings,1990,137:74.
[7]	张永刚,程宗权,蒋惠英.SMA同轴封装高速光电探测器[J].半导体光电,1995(01):68-72.
[8]	张永刚,李爱珍.快响应光电探测器的瞬态特性测量[J].半导体光电,1997(02):82-88.

上一张下一张

计量

下载量()
访问量()

作者相关

文章评分

您的评分：
1

0%
2

0%
3

0%
4

0%
5

0%

材料期刊网

高性能In0.53Ga0.47AsPIN光电探测器的研制

Fabrication of high performance In0.53Ga0.47As PIN photodectors

参考文献