十二位SOI/CMOS数模转换器的研制

1.中国科学院上海冶金研究所,上海,200050

2.四川固体电路研究所,重庆,400060

3.四川固体电路研究所,重庆,400060

4.中国科学院上海冶金研究所,上海,200050

5.中国科学院上海冶金研究所,上海,200050

6.中国科学院上海冶金研究所,上海,200050

7.中国科学院上海冶金研究所,上海,200050

基金项目: 国家重点基础研究发展计划(973计划)(G20000365) 上海市科学发展基金(99JC14012)

Research of twelve-bit DAC fabricated with SOI/CMOS process

介绍一种SOI/CMOS数模转换器的设计和工艺.电路采用了SOI(SiliconOnInsulator)材料代替常规的体硅,使电路具有高速、抗辐照的特点;同时,电路采用独特分段结构和3-7温度编码电路,降低了对R-2R电阻网络的精度要求,提高了转换精度.

[1]	康华光.电子技术基础[M].北京:高等教育出版社,1994
[2]	Bruel M;Aspar B;Maleville C et al.Proc of the Intern Symp on SOI Technology and Devices[M].Ed S Cristoloyeanu,1997,97-23
[3]	林成鲁;张苗.SOI-二十一世纪的微电子技术[J].功能材料与器件学报,1999(01):1.

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