低能低剂量注水形成SOI结构材料的研究

功能材料与器件学报 , 2002, 8(2): 99-102. doi: 10.3969/j.issn.1007-4252.2002.02.002

低能低剂量注水形成SOI结构材料的研究

陈静 ^1, , 王湘 ^2, , 董业民 ^3, , 郑志宏 ^4, , 陈猛 ^5, , 王曦 ^6,

1.中国科学院上海微系统与信息技术研究所,离子束开放实验室,上海,200050

2.中国科学院上海微系统与信息技术研究所,离子束开放实验室,上海,200050

3.中国科学院上海微系统与信息技术研究所,离子束开放实验室,上海,200050

4.中国科学院上海微系统与信息技术研究所,离子束开放实验室,上海,200050

5.中国科学院上海微系统与信息技术研究所,离子束开放实验室,上海,200050

6.中国科学院上海微系统与信息技术研究所,离子束开放实验室,上海,200050

关键词：低剂量注水 , 注入能量 , SOI结构

Fabrication of SOI material by low energy and low dose oxygen implantation using water plasma

采用无质量分析器的离子注入机,以低能量低剂量注水的方式代替常规SIMOX注氧制备SOI材料.测试结果表明,此技术成功地制备了界面陡峭、平整,表层硅单晶质量好的SOI结构材料.在剂量一定的条件下,研究不同注入能量对SOI结构形成的影响,使用剖面透射电镜技术(XTEM)和二次离子质谱技术(SIMS)等测试方法对注入样品和退火后样品进行分析.结果表明,表层硅厚度随注入能量增大不断增大;埋层二氧化硅厚度相对独立,仅在超低能(50keV)低剂量情况下厚度出现明显降低;埋层质量(包括界面平整度、硅岛密度等)与注入能量变化相关.

参考文献

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