生长温度对ZnO薄膜结构的影响

功能材料与器件学报 , 2002, 8(2): 115-118. doi: 10.3969/j.issn.1007-4252.2002.02.005

生长温度对ZnO薄膜结构的影响

王金忠 ^1, , 王新强 ^2, , 闫玮 ^3, , 殷宗友 ^4, , 马燕 ^5, , 姜秀英 ^6, , 杨树人 ^7, , 高鼎三 ^8, , 杜国同 ^9,

1.吉林大学电子工程系光电子联合重点实验室,长春130023

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基金项目: 国家自然科学基金(69896260,59910161983,69777005) 吉林省科研项目(19990518-1)

关键词： XRD , SEM , 化学计量比 , ZnO

Influence of growth temperature on the structure of ZnO thin film

在不同温度下,利用射频等离子体增强型MOCVD系统,在蓝宝石C面上生长出了C轴单一取向的ZnO薄膜,并通过XRD、SEM手段对生长温度与样品的生长速度、表面结构和氧锌原子化学计量比的关系作了较为详细的研究,优化了薄膜的温度生长参数.当生长温度为520oC时,ZnO薄膜的生长速度最大且表面粗糙度较低.当温度为550oC时,可生长出O:Zn为49.99:50:01的近本征ZnO薄膜.

参考文献

[1]	Kazunori Minegishi;Yasushi Koiwai;Yukinobu Kikuchi et al.Growth of p- type Zinc Oxide Films by Chemical Vapor Deposition[J].Japanese Journal of Applied Physics,1997(36):1453-1455.
[2]	Yasuhiro Igasaki .Epitaxial growth of aluminum- doped zinc oxide films on (1120) oriented sapphire substrates[J].Journal of Crystal Growth,1992,166:357-363.
[3]	Srikant V.;Clarke DR.;Sergo V. .EPITAXIAL ALUMINUM-DOPED ZINC OXIDE THIN FILMS ON SAPPHIRE .1. EFFECT OF SUBSTRATE ORIENTATION[J].Journal of the American Ceramic Society,1995(7):1931-1934.
[4]	Carlotti G;Socino G .Acoustic investigation of the elastic properties of ZnO films[J].Applied Physics Letters,1987,51(23):1889-1891.
[5]	Koike J;Shimoe K;Ieki H .1.5 GHz Low- loss surface acoustic wave filter using ZnO/sapphire substrate[J].Japanese Journal of Applied Physics,1993(32):2337-2340.

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