电子束蒸发制备纳米硅锥及其场发射性能研究

功能材料与器件学报 , 2003, 9(2): 147-149. doi: 10.3969/j.issn.1007-4252.2003.02.008

电子束蒸发制备纳米硅锥及其场发射性能研究

谢欣云 ^1, , 万青 ^2, , 林青 ^3, , 沈勤我 ^4, , 林成鲁 ^5,

1.中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室,上海,200050

2.中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室,上海,200050

3.中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室,上海,200050

4.中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室,上海,200050

5.中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室,上海,200050

基金项目: 国家重点基础研究发展计划(973计划)(G20000365) 国家自然科学基金(69976034)

关键词：硅纳米锥 , 电子束蒸发 , 场发射

Preparation and field- emission property of nanoscale silicon on different substrates by using electron beam evaporation

应用超高真空电子束蒸发方法,以铁作为催化剂,在硅和多孔硅衬底上生长纳米 Si锥阵列. 采用原子力显微镜表征生长在不同衬底上纳米硅的形貌特征,测试和比较了不同衬底上纳米硅的电子场发射性能.实验结果表明用这种方法形成了高度为 10～ 35nm的锥状纳米结构 ,并且这些纳米硅锥阵列的场发射性能良好.比较生长不同衬底上的纳米锥形貌与场发射性能,发现多孔硅衬底上更适合生长这种纳米硅锥.

参考文献

[1]	Yu DP.;Wang JJ.;Zou YH.;Qian W.;Fu JS.;Zhang HZ.;Ding Y. Xiong GC.;You LP.;Xu J.;Feng SQ.;Bai ZG. .Direct evidence of quantum confinement from the size dependence of the photoluminescence of silicon quantum wires[J].Physical Review.B.Condensed Matter,1999(4):R2498-R2501.
[2]	Fan S;Chapline M G;Franklin N R et al.Self- orientedregular arrays of carbon nanotubes and their field emissionproperties[J].Science,1999,283:512.
[3]	Jeong S H;Hwang H Y;Lee K H et al.Template synthesis of carbon nanofibers and ite field emission properties[J].Applied Physics Letters,2001,78:2052.
[4]	Kü ttel O M;Groening O;Emmenegger C et al.Electron field emission from phase pure nanotube films grown inmethane/hydrogen plasma[J].Applied Physics Letters,1998,73:2113.
[5]	Fowler R H;Nordheim L W.Electron Beams Formed by Photoelectric Field Emission[A].London Ser A,1928:173.

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