水平HVPE反应器中气流动力学模拟与GaN生长

1.中国科学院上海微系统与信息技术研究所,信息功能材料国家重点实验室,上海,200050

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基金项目: 国家高技术研究发展计划(863计划)(2001AA311100)

Simulation of gas flow in horizontal HVPE reactor and GaN growth

建立了GaN HVPE系统的流体动力学模型,研究了反应气体在反应室内的浓度场,讨论了反应室内GaCl和NH3管道空间配置对气体在衬底表面浓度分布的影响,并对HVPE系统反应室的设计进行了优化.材料生长结果表明,厚度均匀性良好,直接在蓝宝石衬底上生长的GaN外延层摇摆曲线半宽为660 arcsec.

[1]	E.Aujol;J.Napierala;A.Trassoudaine .Thermodynamical and kinetic study of the GaN growth by HVPE under nitrogen[J].Journal of Crystal Growth,2001(3):538-548.
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[3]	周光炯;严宗毅.流体力学[M].北京:中国经济出版社,2000

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