高阻硅掩膜选择性生长多孔硅阵列

1.华东师范大学电子系,上海,200062

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基金项目: 上海市应用材料研究与发展基金(0202) 国家自然科学基金(69925409) 国家自然科学基金(60276036)

Formation of porous silicon array by using highly resistive silicon as masking material

介绍一种在低阻P型硅衬底上用氢离子注入技术形成局部高阻硅掩膜,用电化学腐蚀选择性生长多孔硅微阵列的工艺流程.结果证明,用高阻硅掩膜选择性生长多孔硅具有很好的掩蔽效果,生成的多孔硅阵列的有序性和完整性良好.

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