941nm连续波高功率半导体激光器线阵列

功能材料与器件学报 , 2004, 10(2): 269-272. doi: 10.3969/j.issn.1007-4252.2004.02.027

941nm连续波高功率半导体激光器线阵列

辛国锋 ^1, , 花吉珍 ^2, , 陈国鹰 ^3, , 康志龙 ^4, , 安振峰 ^5, , 冯荣珠 ^6,

1.河北工业大学信息工程学院微电子所,天津,300130;中国电子科技集团公司第十三研究所光电专业部,石家庄,河北,050051

2.中国电子科技集团公司第十三研究所光电专业部,石家庄,河北,050051

3.河北工业大学信息工程学院微电子所,天津,300130

4.河北工业大学信息工程学院微电子所,天津,300130

5.中国电子科技集团公司第十三研究所光电专业部,石家庄,河北,050051

6.中国电子科技集团公司第十三研究所光电专业部,石家庄,河北,050051

基金项目: 河北省科技攻关项目(03213540D)

关键词：高功率 , 金属有机化合物气相淀积 , 半导体激光器阵列 , 单量子阱

941nm CW high output power semiconductor laser diode array

用金属有机化合物气相淀积(MOCVD)技术生长了InGaAs/GaAs/AlGaAs分别限制应变单量子阱激光器材料.利用该材料制成了半导体激光器线阵列,连续波工作条件下的中心激射波长为940.5nm,输出功率高达37.7W(45A、2.0V),斜率效率可达0.99W/A(外微分量子效率为75%),最高转换效率超过45%,阈值电流密度为117A/cm2,该波长的半导体激光器是Yb:YAG固体激光器的理想泵浦源.

参考文献

[1]	Endriz J.G.;Vakili M. .High power diode laser arrays[J].IEEE Journal of Quantum Electronics: A Publication of the IEEE Quantum Electronics and Applications Society,1992(4):952-965.
[2]	Skidmore J A;Emanuel M A;Beach R J et al.New Diode Wavelengths for Pumping Solid- State Lasers[J].SPIE Laser Diodes and Applications,1995,2382:106-116.
[3]	David S Sumida;Alexander A Betin;Hans Bruesselbach et al.Diode - pumped Yb: YAG catches up with Nd: YAG[J].LASER FOCUS WORLD,1999,35(06):63-70.
[4]	Du Baoxun.半导体激光器原理[M].北京:兵器工业出版社,2001

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