利用电子回旋共振等离子体化学气相沉积(ECR-CVD)技术,以SiH4和N2为反应气体进行了氮化硅钝化薄膜的低温沉积技术的研究.采用原子力显微镜、傅立叶变换红外光谱和椭圆偏振光检测等技术对薄膜的表面形貌、结构、厚度和折射率等性质进行了测量.结果表明,采用ECR-CVD技术能够在较低的衬底温度条件下以较高的沉积速率制备厚度均匀的氮化硅薄膜,薄膜中H含量很低.薄膜沉积速率随微波功率和混合气体中硅烷比例的增加而增大.折射率随微波功率的增大而减小,随混合气体中硅烷比例的增大而增大.在相同气体混合比和微波功率条件下,较高衬底温度条件下制备的薄膜折射率较大.
参考文献
[1] | Chang K M;Lang C C;Cheng C C .The Silicon Nitride Film Formed by ECR - CVD for GaN - Based LED Passivation[J].Physica Status Solidi,2001,A188(01):175-178. |
[2] | Lee J W;MACKENZIE K;JOHNSON D et al.Low Temperature ECR - CVD of SiNx for Ⅲ - Ⅴ Device Passivation[J].Solid-State Electronics,1998,42(06):1031-1034. |
[3] | 叶超;宁兆元;金宗明 等.永磁微波ECR等离子体CVD低温淀积SiNx薄膜[J].功能材料,1996,27(04):339-346. |
[4] | 叶超;宁兆元;汪浩 等.微波ECR-CVD低温SiNx薄膜的H含量分析[J].功能材料,1998,29(01):89-91. |
[5] | Smith D L;Alimonda A S;Pressing Von F J .Mechanism of SiNxHy deposition from N2/SiH4 plasma[J].Journal of Vacuum Science and Technology,1990,B8:551-557. |
[6] | Doughty C;Knick D C;Bailey J B et al.Silicon nitride films deposited at substrate temperatures <100℃ in a permanent magnet electron cyclontron resonance plasma[J].Journal of Vacuum Science and Technology A,1999,A17(05):2612-2618. |
[7] | 陈俊芳,吴先球,王德秋,丁振峰,任兆杏.ECR-PECVD制备Si3N4薄膜沉积工艺的研究[J].物理学报,1999(07):1309-1314. |
[8] | 于威,刘丽辉,侯海虹,丁学成,韩理,傅广生.螺旋波等离子体增强化学气相沉积氮化硅薄膜[J].物理学报,2003(03):687-691. |
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