中波碲镉汞边缘接触不对称MIS结构的低频噪声

1.传感技术国家重点实验室,中国科学院上海技术物理研究所,上海,200083

2.传感技术国家重点实验室,中国科学院上海技术物理研究所,上海,200083

基金项目: 上海市科委资助项目(022261024)

Low frequency noise mechanism of medium wave HgCdTe with asymmetrical MIS structure

对两种不同结构的中波碲镉汞光导红外探测器件的噪声进行了测量,发现叠层结构器件的低频噪声比具有简单结构器件的大.针对叠层结构,提出了用来分析噪声的边缘接触不对称MIS结构模型.分析表明,叠层电极下的碲镉汞表面在偏置电压作用下,容易出现耗尽层是低频噪声增加的主要原因.

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