4H-SiC隐埋沟道MOSFET亚阈特性研究

功能材料与器件学报 , 2006, 12(2): 130-134. doi: 10.3969/j.issn.1007-4252.2006.02.012

4H-SiC隐埋沟道MOSFET亚阈特性研究

郜锦侠 ^1, , 张义门 ^2, , 张玉明 ^3, , 汤晓燕 ^4,

1.宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室,西安电子科技大学微电子学院,西安,710071

2.宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室,西安电子科技大学微电子学院,西安,710071

3.宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室,西安电子科技大学微电子学院,西安,710071

4.宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室,西安电子科技大学微电子学院,西安,710071

基金项目: 中国科学院资助项目(J60404250140)

关键词：等效沟道厚度 , SiC , 隐埋沟道 , MOSFET , 亚阈特性

Subthreshold characteristics for SiC buried-channel MOSFETs based on an equivalent channel thickness model

在推导一个等效沟道厚度模型的基础上,对SiC隐埋沟道MOSFET亚阈特性进行了研究.首先利用泊松方程的解对等效沟道厚度的计算式进行了推导,计算结果表明,在N+D/N-A≤43的情况下,等效沟道厚度与栅压和沟道深度无关,亚阈区峰值电势随栅压线性变化,推出了一个简化的亚阈电流表达式,并在计算中计入了界面态的影响.该表达式可用来对沟道载流子浓度进行提取.

参考文献

[1]	尚也淳,张义门,张玉明.SiC/SiO2界面粗糙散射对沟道迁移率影响的Monte Carlo研究[J].物理学报,2001(07):1350-1354.
[2]	Shinsuke Harada;Seiji Suzuki Junji Senzaki Ryoji Kosugi;Kazuhiro Adachi;Kenji Fukuda;Kazuo Arai .High channel mobility in normally-off 4H-SiC buried channel MOSFETs[J].IEEE Electron Device Letters,2001(6):272-274.
[3]	郜锦侠,张义门,张玉明.4H-SiC埋沟MOSFET的研制[J].半导体学报,2004(12):1561-1566.
[4]	Parikh C D;Vasi J .Modeling of a Depletion-Mode MOSFET[J].Solid-State Electronics,1987,30(07):699.
[5]	Michael J Van der Tol;Savvas G Chamberlain .Buried-channel MOSFET for SPICE[J].IEEE Transactions on Computer Aided Design,1991,10(08):1015.
[6]	Claudio Turchetti;Guido Masetti .Analysis of the depletion-mode MOSFET including diffusion and drift currents[J].IEEE Transactions on Electron Devices,1985,ED-32(04):773.
[7]	Hendrickson T E .A simplified model for subpinchoff conduction in depletion-mode IGFET′s[J].IEEE Transactions on Electron Devices,1978,ED-25(04):435-441.
[8]	Roschke M;Schwierz F .Electron mobility models for 4H,6H and 3C SiC[MESFETs]Electron Devices[J].IEEE Transactions,2001,48(07):1442-1447.

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Subthreshold characteristics for SiC buried-channel MOSFETs based on an equivalent channel thickness model

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