PECVD SiO2/Si3N4双层膜驻极体性能

功能材料与器件学报 , 2008, 14(1): 125-128. doi: 10.3969/j.issn.1007-4252.2008.01.028

PECVD SiO2/Si3N4双层膜驻极体性能

陈治宇 ^1, , 吕知秋 ^2, , 张锦文 ^3, , 金玉丰 ^4, , 李婷 ^5, , 田大宇 ^6, , 王颖 ^7,

1.北京大学微电子研究院,微米/纳米加工技术国家重点实验室,北京,100871

2.北京大学微电子研究院,微米/纳米加工技术国家重点实验室,北京,100871

3.北京大学微电子研究院,微米/纳米加工技术国家重点实验室,北京,100871

4.北京大学微电子研究院,微米/纳米加工技术国家重点实验室,北京,100871

5.北京大学微电子研究院,微米/纳米加工技术国家重点实验室,北京,100871

6.北京大学微电子研究院,微米/纳米加工技术国家重点实验室,北京,100871

7.北京大学微电子研究院,微米/纳米加工技术国家重点实验室,北京,100871

基金项目: 国家自然科学基金(60676042)

关键词：驻极体 , SiO2/Si3N4双层膜 , PECVD

PECVD prepared Si2/Si3 N4 double layers electrets

本文研究了在带有Cr/Au电极的玻璃衬底上利用PECVD制备的SiO2/Si3N4双层膜驻极体性能.针对这种驻极体提出了一个简单的工艺流程暴露出一部分金属电极,并在电晕注极过程中将底电极引出接地.通过实验改变电晕注极过程中的注极时间、温度等因素,希望得到对PECVD制备的SiO2/Si3N4双层膜驻极体性能的优化.本文证实了PECVD双层膜具备良好的驻极体性能,有望广泛应用于微器件中.

参考文献

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