本文提出了一种新型的多层梁结构的电容式温度传感器.传感器结构部分是由导体(或半导体)/介质层/导体(或半导体)组成的可变电容器.电容的上下极板分别为金属和衬底硅,中间介质层为二氧化硅层.与传统的温度传感器相比,这种结构的测温范围较宽.文中,应用多层梁理论模型分析了传感器的结构,并利用ANSYS有限元分析对模型进行了验证.当多层梁材料参数已知的情况下,选用大面积,低厚度,能够最大限度的提高传感器性能.
参考文献
| [1] | 刘泽文;王晓经;黄庆安.微系统设计[M].北京:电子工业出版社,2004:131-132. |
| [2] | 周闵新 .多层膜结构电容式压力传感器及其CMOS兼容工艺的研究[D].东南大学,2005. |
| [3] | Chu W-H;Mehregany M;Mullen R L .Analysis of tip deflection and force of a bimetallic cantilever microactuator[J].Journal of Micromechanics and Microengineering,1993,3:4-7. |
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