在硅圆片表面亲水活化键合工艺中引入了紫外光照射并对其工艺参数和效果进行了评估.基于基本键合流程,通过对比实验,研究紫外光照与否,以及照射时间长短对硅片键合质量的影响.同时利用红外检测仪,拉伸强度测试仪以及原子力显微镜分别对键合面积,键合强度和表面粗糙度等因素进行了测定.此外,利用了承载率这一指标,对比了达到相同承载率时所需要克服的形变,以此对硅片的键合能力进行了评估.各项结果表明,硅片经过C波段和V波段的混合紫外光照射5min,相比于不经过紫外辐射的硅片,表面粗糙度得到了明显的改善,并获得最高的键合能力和拉伸强度.长时间的紫外辐射会破坏表面,进而影响其键合能力,使得拉伸强度降低.
参考文献
| [1] | 黄祯宏,邱恒德.直接键合SOI晶圆的工艺[J].半导体学报,2006(z1):392-395. |
| [2] | 詹达,马小波,刘卫丽,宋志棠,封松林.基于低温键合技术制备SOI材料[J].半导体学报,2006(z1):189-192. |
| [3] | 张正元,徐世六,冯建,胡明雨.基于带图形的硅衬底上制备硅薄膜的技术[J].传感技术学报,2006(05):1401-1403. |
| [4] | SN Farreus .Packaging methods and techniques for MOEMS and MEMS[J].Progress in Biomedical Optics and Imaging,2005,5716:9-18. |
| [5] | 王玉传,朱大鹏,许薇,罗乐.圆片级气密封装及通孔垂直互连研究[J].功能材料与器件学报,2006(06):469-473. |
| [6] | Berini P;Mattiussi G;Lahoud N;Charbonneau R .Wafer-bonded surface plasmon waveguides[J].Applied physics letters,2007(6):61108-1-61108-3-0. |
| [7] | 黄哲琳,冯勇建.微型电容式压力传感器中的温度效应[J].传感技术学报,2006(05):1807-1809. |
| [8] | Lasky J B .Wafer bonding for silicon insulator technologies[J].Applied Physics Letters,1986,48:78-80. |
| [9] | Qin-Yi Tong;Cha G. .Low temperature wafer direct bonding[J].Journal of Microelectromechanical Systems: A Joint IEEE and ASME Publication on Microstructures, Microactuators, Microsensors, and Microsystems,1994(1):29-35. |
| [10] | Amirfeiz P.;Bengtsson S. .Formation of Silicon Structures by Plasma-Activated Wafer Bonding[J].Journal of the Electrochemical Society,2000(7):2693-2698. |
| [11] | 林晓辉,廖广兰,史铁林,聂磊.硅片低温键合湿化学法表面活化工艺研究[J].传感技术学报,2006(05):1384-1387,1403. |
上一张
下一张
上一张
下一张
计量
- 下载量()
- 访问量()
文章评分
- 您的评分：
-
10%
-
20%
-
30%
-
40%
-
50%