LPCVD生长结构层多晶硅和掺P多晶硅的工艺

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基金项目: 国家重点实验室基金(9140C1405020607)

Process of LPCVD polysilicon and phosphorus doped polysilicon

对LPCVD生长结构层多晶硅和掺P多晶硅的原理进行了阐述,分析了薄膜质量与各项工艺参数的关系.实验时,对各项工艺参数进行调节,在保证薄膜质量和片内一致性的同时取得最大的生长速率.生长出来的多晶硅结构层厚度达到2μm;掺P多晶硅的厚度达到1OOOhA.

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