电泳芯片作为典型的低雷诺数、低体积流速的微流体器件,电渗流作为非常重要的物理现象,其大小直接影响分离情况和分析结果的精密度和准确度.基于低雷诺数理论建立电泳芯片微管道内电渗流的数学模型,利用有限差分法进行求解.当德拜长度为5nm时,不同Zeta电势下下,微管道内电渗流的流动情况为塞状流,电渗流的最大速度随着Zeta电势的增加而线性增加;当Zeta电势为-100mV,不同德拜长度下,电渗势沿壁面的法线方向呈指数级衰减.在不同的德拜长度下,电渗流的速度分布几乎一样,且当德拜长度改变时,电渗流的最大速度不变.
参考文献
[1] | Burggraf N;Manz A;Verpoorte E.Planar Glass Chips for Capillary Eletrophoresis:Repetitive Sample In-jection,Quantition,Separation Efficiency[J].Sensors and Actuators,1994(20):103-110. |
[2] | 严宗毅.低雷诺数流理论[M].北京:北京大学出版社,2002:1-6. |
[3] | M. J. Mitchell;R. Qiao;N. R. Aluru .Meshless analysis of steady-state electro-osmotic transport[J].Journal of Microelectromechanical Systems: A Joint IEEE and ASME Publication on Microstructures, Microactuators, Microsensors, and Microsystems,2000(4):435-449. |
[4] | Neelesh A. Patankar;Howard H. Hu .Numerical Simulation of Electroosmotic Flow[J].Analytical chemistry,1998(9):1870-1881. |
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