对辐照加固的部分耗尽(Partially Depleted)SOI 8位微控制器(MCU)的总剂量辐照特性进行研究.该微控制器功能完全兼容intel MCS-51系列的80C51微控制器,采用1.2μm辐照加固的PDSOI CMOS工艺技术制备,芯片尺寸约为6.4mm×6.8mm.对该微控制器及同工艺条件下的MOSFET进行Co60辐照试验表明,在工作电压5V下,其总剂量加固水平高达1×106rad(Si),完全满足航空航天领域应用的要求.
参考文献
| [1] | Ma T P;Paul V Dressendorfer.IONIZING RADIATION EFFECTS IN MOS DEVICES AND CIRCUITS[M].New York:John Wiley and Sons,Inc,1989 |
| [2] | Schwank J.R.;Ferlet-Cavrois V.;Shaneyfelt M.R.;Paillet P.;Dodd P.E. .Radiation effects in SOI technologies[J].IEEE Transactions on Nuclear Science,2003(3):522-538. |
| [3] | Jean Pierre Colinge.SILICON-ON-INSULATOR TECHNOLOGY:Material to VLSI[M].Norwell,MA:Kluwer Academic Publishers,1997 |
| [4] | 刘新宇,孙海峰,刘洪民,韩郑生,海潮和.CMOS/SOI4kb静态随机存储器[J].功能材料与器件学报,2002(02):165-169. |
| [5] | Zhao Hongehen;Hai Chaohe;Han Zhengsheng et al.Radiation Hard H -type PDSOI NMOSFETs[J].Journal of Functional Materials and Devices,2005,1(02):71-74. |
| [6] | 刘新宇,刘运龙,孙海锋,吴德馨,和致经,刘忠立.CMOS/SOI 4Kb SRAM总剂量辐照实验[J].半导体学报,2002(02):213-216. |
| [7] | Simgui BONDED.wafer specifications-SIMGUI@ HD[M].Shanghai Simgui Technology Co.Ltd |
| [8] | 刘新宇,刘运龙,孙海锋,海潮和,吴德馨,和致经,刘忠立.氮化H2-O2合成薄栅氧抗辐照特性[J].半导体学报,2001(12):1596-1599. |
| [9] | Ferlet-Cavrois V.;Colladant T. .Worst-case bias during total dose irradiation of SOI transistors[J].IEEE Transactions on Nuclear Science,2000(6):2183-2188. |
上一张
下一张
上一张
下一张
计量
- 下载量()
- 访问量()
文章评分
- 您的评分：
-
10%
-
20%
-
30%
-
40%
-
50%