GaAs/InGaP异质界面的湿法腐蚀

1.中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室,上海,200050;中国科学院研究生院,北京,100039

2.中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室,上海,200050;中国科学院研究生院,北京,100039

3.中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室,上海,200050

4.中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室,上海,200050

5.中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室,上海,200050

基金项目: 国家重点基础研究发展计划(973计划)(2002C311902) 国家自然科学基金(60676062)

Wet etching of GaAs/InGaP heterointerfaces

对柠檬酸系、盐酸系溶液腐蚀GaAs/InGaP异质结构材料体系时出现的腐蚀不均匀现象进行了实验研究,采用原子力显微镜(AFM)、电子显微镜、台阶仪等分析了不同腐蚀条件下GaAs/InGaP异质界面的腐蚀形貌,找到了简单有效的办法,可获得很好的表面平整度,同时侧向腐蚀也较小.

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