脉冲阳极氧化工艺制作GaAs/AlGaAs宽条形半导体激光器

1.中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室,上海200050;中国科学院研究生院,北京,100039

2.长春理工大学,高功率半导体激光国家重点实验室,长春,130022

3.长春理工大学,高功率半导体激光国家重点实验室,长春,130022

4.中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室,上海200050

5.中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室,上海200050

6.中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室,上海200050

基金项目: 国家自然科学基金(60476026;0477010) 国家重点实验室基金(05ZS3606)

GaAs/AlGaAs BA semiconductor lasers fabricated with pulsed anodic oxidation process

研究了脉冲阳极氧化工艺的特性,并利用脉冲阳极氧化工艺制作出激射波长为776nm的宽条形半导体激光器,器件阚值电流为0.35A,斜率效率为1.12W/A,与常规工艺制作的器件相比阈值电流降低了22%,斜率效率提高了18%.

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