具有高电流处理能力的多发射极条微波功率GeSi HBT

功能材料与器件学报 , 2009, 15(1): 15-19. doi: 10.3969/j.issn.1007-4252.2009.01.003

具有高电流处理能力的多发射极条微波功率GeSi HBT

沈珮 ^1, , 张万荣 ^2, , 谢红云 ^3, , 金冬月 ^4, , 李佳 ^5, , 甘军宁 ^6,

1.北京工业大学电子信息与工程控制学院,北京,100124

2.北京工业大学电子信息与工程控制学院,北京,100124

3.北京工业大学电子信息与工程控制学院,北京,100124

4.北京工业大学电子信息与工程控制学院,北京,100124

5.北京工业大学电子信息与工程控制学院,北京,100124

6.北京工业大学电子信息与工程控制学院,北京,100124

基金项目: 国家自然科学基金(60776051;60376033) 北京市自然科学基金北京市属市管高校中青年骨干教师培养计划项目(102(KB)-00856) 北京市教委科技发展计划(KM200710005015) 北京市优秀跨世纪人才基金(67002013200301)

关键词：锗硅异质结双极晶体管 , 热耦合效应 , 电流处理能力

Multiple emitter-finger microwave power GeSi HBT with large current-handling capability

本文对多发射极条(指)微波功率GeSi HBT进行了设计、制造和测试,并就测试结果对电流处理能力进行了研究.实验结果表明,对20～80指的GeSi HBT,发射极单位长度的电流密度I0在1.67～1.06A/cm之间变化.随发射极条数的增加,I0逐渐减少,分析认为这是由发射极条之间的热耦合引起有源区的温度非均匀分布而导致的.并且通过测试所得到的I0值,证明多指GeSi HBT可通过选择合适的发射极条数、条长和发射区面积获得更高的电流处理能力.

参考文献

[1]	Jiang NY;Ma ZQ;Wang GG;Ma PX;Racanelli M .3-W SiGe power HBTs for wireless applications[J].Materials science in semiconductor processing,2005(1/3):323-326.
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