GMR硬磁偏置层加工技术

功能材料与器件学报 , 2010, 16(3): 281-284. doi: 10.3969/j.issn.1007-4252.2010.03.016

GMR硬磁偏置层加工技术

郑洋 ^1, , 刘晰 ^2, , 曲炳郡 ^3, , 韦丹 ^4, , 魏福林 ^5, , 任天令 ^6, , 刘理天 ^7,

1.清华大学微电子所,北京,100084

2.兰州大学磁性材料研究所,甘肃,730000

3.清华大学微电子所,北京,100084

4.清华大学材料科学与工程系,北京,100084

5.兰州大学磁性材料研究所,甘肃,730000

6.清华大学微电子所,北京,100084

7.清华大学微电子所,北京,100084

关键词：巨磁电阻 , 磁控溅射 , 湿法刻蚀 , 粗糙度 , 种子层

Processing technology for magnetic bias film of GMR

磁控溅射是一种能够在低温条件下生长大面积优质薄膜的工艺,广泛用在磁传感器和存储等领域.本文研究了在巨磁电阻(Giant Magneto Resistance:GMR)多层膜周围溅射接触紧密的CoCrPt硬磁膜的工艺,使得硬磁膜能为GMR提供磁场偏置,以解决小尺度GMR的噪声问题.研究中采用了1:5的BHF溶液的湿法刻蚀工艺,刻蚀速率为25 A/s,实现了刻蚀深度的精确控制,解决了薄膜对准的问题.同时改进了CoCrPt薄膜溅射的种子层,使得CoCrPt能在常温下溅射得到很好的晶体结构.这种工艺为基于GMR的小尺寸器件设计提供了可能性.

参考文献

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[4]	Z.Q.Lu;G Pan .New domain biasing techniques for nanoscale magneto-electronic devices[J].Magnetic Nanostructures,2007,Part Ⅳ:187-208.
[5]	Gehanno V.;Freitas P.P. .Ion beam deposition of Mn-Ir spin valves[J].IEEE Transactions on Magnetics,1999(5):4361-4367.
[6]	Parkin S S .Dramatic enhancement of interlayer exchange coupling and giant magnetoresistance in Ni81Fel9/Cu multilayers by addition of thin Co interface layers[J].Applied Physics Letters,1992,61:1358-1360.

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