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选用W7与W63两种SiC粉末,采用高、低温粘结剂配合,模压成型,850℃空气气氛低温多段烧结,制备出体积分数为65.13%的SiC预制件,真空压力浸渗6063A1合金熔液,得到SiCp/A1复合材料.结果表明:复合材料XRD图谱中未出现明显的Al4C3界面相和SiO2杂相;致密度高;100℃时的热膨胀系数为7.592×10 -6K-1;常温下热导率为172.68/W(m·K)-1;4mm×3mm×30mm规格样品的最大弯曲载荷为335.5N,弯曲位移为0.16mm左右;综合性能优良,是优异的电子封装材料.

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