缓冲层对碳纳米管强流脉冲发射特性的影响

功能材料与器件学报 , 2012, 18(3): 243-246. doi: 10.3969/j.issn.1007-4252.2012.03.012

缓冲层对碳纳米管强流脉冲发射特性的影响

麻华丽 ^1, , 李昕 ^2, , 刘卫华 ^3, , 乔淑珍 ^4, , 张锐 ^5, , 曾凡光 ^6, , 夏连胜 ^7, , ^8,

1.郑州航空工业管理学院数理系,郑州450015

2.西安交通大学电子与信息工程学院,西安710049

3.西安交通大学电子与信息工程学院,西安710049

4.郑州航空工业管理学院数理系,郑州450015

5.郑州航空工业管理学院数理系,郑州450015

6.郑州航空工业管理学院数理系,郑州450015

7.中国工程物理研究院流体物理研究所,绵阳621900

基金项目: 辽宁省自然科学基金(20082050) 河南省教育厅自然科学基金(2011A140027) 国家自然科学基金(51072184;50972132;51002143;60801022) 航空科学基金(2009ZE55003;2010ZF55013;2011ZF55015) 河南省基础与前沿技术研究计划项目(112300410264)

关键词：强流脉冲发射 , 化学镀 , Ni缓冲层 , 碳纳米管

Influence of buffer layer on intense pulsed Field emission of Carbon Nanotubes

为了研究缓冲层对碳纳米管薄膜(CNTs)强流脉冲发射特性的影响,采用酞菁铁高温热解方法分别在镀镍和不镀镍硅基底上生长了碳纳米管薄膜(Ni - CNTs和Si - CNTs),镍层采用化学镀方法制备,强流脉冲发射特性采用二极结构在单脉冲下进行测试.实验发现,通过引入镍缓冲层,CNTs的强流脉冲发射能力显著增强.在峰值为～10.4 V/μm的脉冲场强下,平均开启电场强度从Si - CNTs的5.0V/μm下降到Ni - CNTs的4.3 V/μm,而峰值发射电流和电流密度从Si - CNTs的70A和3.5 A/cm2升高到Ni - CNTs的162 A和8.1 A/cm2,Ni - CNTs的峰值电流比Si - CNTs提高了1.3倍.

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