重离子辐照SiO2的光致发光

原子核物理评论 , 2000, 17(3): 189-190. doi: 10.3969/j.issn.1007-4627.2000.03.013

重离子辐照SiO2的光致发光

王志光 ^1, , 金运范 ^2, , 谢二庆 ^3, , 陈晓曦 ^4, , 朱智勇 ^5, , 侯明东 ^6,

1.中国科学院近代物理研究所,甘肃,兰州,730000

2.中国科学院近代物理研究所,甘肃,兰州,730000

3.中国科学院近代物理研究所,甘肃,兰州,730000;兰州大学物理系,甘肃,兰州,730000

4.中国科学院近代物理研究所,甘肃,兰州,730000

5.中国科学院近代物理研究所,甘肃,兰州,730000

6.中国科学院近代物理研究所,甘肃,兰州,730000

基金项目: 中国科学院基础研究项目(KJ952-2-2-S1-423) 中国科学院"西部之光"人才培养计划 Scientific Foundation of "9.5" Fundamental Research(KJ952-S1-423) Xibuzhiguang" from the Chinese Academy of Sciences 中国科学院资助项目(19875069)

关键词：高能重离子辐照 , 光致发光 , SiO2薄膜

Photoluminescences of SiO2 Irradiated by Heavy Ion

Keywords： high energy heavy ion irradiation , photoluminescence , SiO2 films

基于荷能离子与固体相互作用特点,提出了一种新的制备光致发光材料的方法-- 高能重离子辐照. 用这种方法研究了SiO2薄膜的光致发光特性,发现高能84K r和40Ar离子辐照可在注碳SiO2薄膜样品中产生强的蓝-紫光发射带,掺杂碳增强了辐照样品的发光特性.

A novel method, high energy heavy ion irradiation, was proposed to pr oduce light-emitting structures. It was used in studying photoluminescence properties from C-doped SiO2 films.

参考文献

[1]	Cullis A G, Canham L T, Calott D J. The Structural and Lumin escence Properties of Porous Silicon [J]. J Appl Phys, 1997, 82(3): 909-965.
[2]	Wang Z G, Jin Y F, Hou M D. Experimental Study of Elect ronic Energy Loss Ef fects in Pure Metals [J]. Nucl Phys Rev (in Chinese), 2000, 17(2): 100-105.
[3]	Meftah A, Brisard F, Costantini J M et al. Track F ormation in SiO2 Qua rtz and the Thermal-spike Mechanism [J]. Phys Rev, 1994, B49: 12 457-12 463.
[4]	Shluger A, Stefanovich E. Models of the Self-traped Ex citon and Ne arest-neighbor Defect Pair in SiO2 [J]. Phys Rev, 1990, B42: 9 664-9 673.

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