1.30-2.21 MeV质子在硅上的160°散射截面测量

原子核物理评论 , 2002, 19(1): 39-41. doi: 10.3969/j.issn.1007-4627.2002.01.008

1.30-2.21 MeV质子在硅上的160°散射截面测量

李公平 ^1, , 张小东 ^2, , 刘正民 ^3,

1.兰州大学现代物理系,甘肃,兰州,730000

2.兰州大学现代物理系,甘肃,兰州,730000

3.兰州大学现代物理系,甘肃,兰州,730000

基金项目: 国家自然科学基金(19775022)

关键词：质子 , 背散射 , 截面

Non-Rutherford Elastic Scattering Cross Sections for 160°Backscattering of 1.30-2.21 MeV Protons on Silicon

采用薄靶对能量1.30-2.21 MeV质子在纯度为99.99%硅上的非卢瑟福弹性背散射截面(160°背散射角)进行了测量. 质子束由2×1.7 MV串列加速器提供, 测量仪器采用金硅面垒探测能谱仪. 实验中最低能区进入卢瑟福弹性散射能区, 测量结果与以前发表的结果进行了比较. 所测量数据可供从事背散射分析技术的有关人员参考.

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Non-Rutherford Elastic Scattering Cross Sections for 160°Backscattering of 1.30-2.21 MeV Protons on Silicon

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