碳化硅中惰性气体离子辐照引起缺陷的研究

1.中国科学院近代物理研究所,甘肃,兰州,730000

基金项目: 中国科学院"西部之光"人才培养计划国家自然科学基金(10575124)

Defect Production in Silicon Carbide by Inert-gas-ion Irradiation

综述了有关碳化硅材料中惰性气体离子引起辐照缺陷研究的进展.包括借助多种方法对氦离子辐照的碳化硅中氦泡集团形成的剂量阈值的实验研究, 基于过冷固体假设对氦泡阈值的理论解释, 不同剂量氦泡的两种形态及其机理的研究, 以及重惰性气体离子(Ne, Xe)辐照下缺陷演化的特点.

[1]	Weber W J,Wang L M,Yu N,et al.Mater Sci Eng,1998,A253:62.
[2]	Zhang Chonghong,et al.In:Proc.8th Japan-China Symp on Materials for Advanced Energy Systems and Fission & Fusion Engineering,Oct.4-6,Japan:Sendai,2004,183-192.
[3]	Zhang C H,Donnelly S E,et al.J Appl Phys,2003,94:6 017.
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