铅离子辐照注碳4H-SiC的红外光谱特性研究

原子核物理评论 , 2006, 23(2): 221-223. doi: 10.3969/j.issn.1007-4627.2006.02.031

铅离子辐照注碳4H-SiC的红外光谱特性研究

周丽宏 ^1, , 张崇宏 ^2, , 宋银 ^3, , 杨义涛 ^4,

1.中国科学院近代物理研究所,甘肃,兰州,730000

2.中国科学院近代物理研究所,甘肃,兰州,730000

3.中国科学院近代物理研究所,甘肃,兰州,730000

4.中国科学院近代物理研究所,甘肃,兰州,730000

基金项目: 国家自然科学基金(10575124) 教育部重点实验室基金中国科学院基金

关键词： 4H-SiC , 傅立叶变换红外光谱 , 离子注入 , 卢瑟福背散射分析 , 退火

FTIR Characterization of C-ion Implanted and Pb-ion Irradiated 4H-SiC

主要研究了铅离子辐照注碳4H-SiC样品在3个不同退火温度下傅立叶变换红外光谱的变化.从红外谱的变化可以知道铅辐照注碳4H-SiC样品在一定深度内出现了非晶层, 波数在960-1 450 cm-1范围内出现了干涉带, 干涉带强度随着退火温度的升高而变弱.1 373 K退火后样品的卢瑟福背散射分析结果显示, 一定深度内硅原子的背散射产额明显减少.

参考文献

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FTIR Characterization of C-ion Implanted and Pb-ion Irradiated 4H-SiC

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