超晶格界面的电子反射及引起的光电流特性

量子电子学报 , 2001, 18(5): 462-465. doi: 10.3969/j.issn.1007-5461.2001.05.017

超晶格界面的电子反射及引起的光电流特性

程兴奎 ^1, , 马洪磊 ^2, , 周均铭 ^3, , 黄绮 ^4, , 王文新 ^5,

1.山东大学光电材料与器件研究所

2.山东大学光电材料与器件研究所

3.中国科学院物理研究所

4.中国科学院物理研究所

5.中国科学院物理研究所

基金项目: 国家自然科学基金(69976016) 山东省自然科学基金(Y98G11107)

关键词：超晶格 , 界面 , 电子反射

Electron Reflection at Interface in Superlattice and Induced Photocu rrent Characteristics

测量了GaAs/AlGaAs超晶格在T=77 K时的光电流谱,发现在波数v=1589 cm-1存在一个强电流峰.理论分析认为,该电流峰与超晶格界面的电子反射有关.据此算出的电流峰位置与实验观测结果一致.

参考文献

[1]	Toshihiko Makino. Analytical formulas for the optical gain of quantum well [J]. IEEE Journal of Quantum Elec tronics, 1996, 32(3): 493
[2]	Sadal Adach. GaAs, AlAs and AlxGa1-xAs: Material parameters for use in research and devices applications. [J]J. Appl. Phys., 1985, 58(3): R1～29
[3]	Levine B F et al. Tunable long-wavelength detectors using graded barrier quantum wells grown by electron beam source molecular beam epitary [J]. Appl. Phys. Lett., 1990, 57(4): 383
[4]	Manasreh M D et al. Intersubband Infraredabsorption in GaAs/A10.3Ga0.7As quantum well structure [J]. Appl,Phys. Lett., 1990, 57(17): 1790
[5]	Choe J W et al. Exchange interaction effects in quantum well infrared detectors [J]. Appl. Phys, Lett., 1990,56(17): 1679
[6]	程兴奎等.超晶格结构中电子的波动性[J]物理学报,2001,50(3):536

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