条形半导体激光器注入电流的横向分布

1.南通师范学院物理系,

Lateral Distribution of Injection Current in Stripe Geometry Semiconductor Lasers

用双连通域内的保角变换方法解二维拉普拉斯方程,得到了条形半导体激光器注入电流密度的横向分布.研究了在电阻层的电阻率比较大的情况下,中央激活区不同宽度和不同电极宽度时注入电流密度的横向分布.如果中央激活区宽度小于条形电极宽度,注入电流密度在中央激活区内近似为常数,而在中央激活区外很快地衰减.

[1]	Franken P A , Ward J F. Optical harmonics and nonlinear phenomena [J]. Rev. Mod. Phys., 1963, 35:23～29
[2]	赵珂.关于倍频的部分相干光理论: Ⅰ.定义与描述[J].量子电子学报,2001,18(5):474～480
[3]	Parzen E. Notes on fourier analysis and spectral windows. Technical Report No.48 [M]. Department of Statistics,Stanford University. (Published in " Time Series Analysis Papers " by E. Parzen. San Francisco: Holden-Day )

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