本文对N+离子辐照纳米氮化硅量子点的表面特性进行了测试、分析,对离子辐照后量子点蓝光发射显著增强这一现象给出了解释.FTIR测试发现,辐照使Si-N键结合峰增强,说明辐照后Si-N键合数增加,而其它峰未发生变化.XPS全谱表明,量子点中的氧主要集中在其表面,辐照使量子点表面的氧含量增加,进一步通过XPS芯态能谱测试发现,辐照使表面的氧、硅由吸附态转化成结合态.我们认为SiO 2/Si3N4界面中的激子模型可以解释量子点蓝光增强现象,界面层激子效应是蓝光发射增强效应产生的根源.
参考文献
| [1] | 李道火,涂鲜花,张红兵等.离子注入对纳米氮化硅量子点的蓝光增强效应[J].化工冶金(增刊),1999:393 |
| [2] | 涂鲜花,李道火.离子注入对纳米氮化硅量子点蓝光增强效应[J].物理学报,2000,7:1383 |
| [3] | Kanemitsu Y.Visible photoluminescence from oxidized sinanometer-sized spheres:exciton confinement on a spherical shell [J].Phys.Review B,1993,48:4883 |
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