本文对典型结构高亮度发光二极管(HB-LED)的注入电流扩展以及器件的光输出进行了详细的理论分析,结果表明具有较厚顶层的器件容易实现注入电流的扩展,而具有较厚的底层即具有透明衬底的器件容易实现光耦合输出,因此引入较厚顶层和底层是提高LED的外量子效率的有效手段.最后分别计算出不同顶层厚度下具有吸收衬底和透明衬底的LED的外量子效率,这两类LED最大外量子效率分别为12.05%和20.12%.
参考文献
[1] | Nakmura S.Mukai T,Senoh M.Candela-class high-brightness InGaN/A1GaN double-heterostructure blue-lightemitting diodes[J].Appl.Phys.Lett.,1994,64(13):1687~1689 |
[2] | Schnizer I ,Yablonovitch E.30% external quantum efficiency from surface textured,thin-film light-emitting diodes[J].Appl.Phys.Lett.,1993,63(16):2174~2176 |
[3] | Huang K H,Yu J G,Kuo C P et al.Twofold efficiency improvement in high performance AlGaInP light-emitting diodes in the 555~620 nm spectral region using a thick GaP window layer[J].Appl.Phys.Lett.,1992,61(9):1045~1047 |
[4] | 唐晋发,政权.应用薄膜光学[M].上海:上海科学技术出版社,1984 |
[5] | Kish F A,Sterranka F M,Defevere D C et al.Very high-efficiency semiconductor wafer-bonded transparentsubstrate (AlxGa1-x)0.5In0.5P/GaP light-emit ting diodes [J].Appl.Phys.Lett.,1994,4(21):2839~2841 |
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